Сравнение

STD13NM60ND, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 11 А, 0.32 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Цена 950
Информация о производителе
Основные
вес, г 0.35
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 2500
тип продукта MOSFET
торговая марка STMicroelectronics
упаковка Tube
упаковка / блок TO-252-3
серия STD13NM60ND
время нарастания 10 ns
время спада 15.4 ns
линейка продукции FDmesh II
количество выводов 3вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности 109 W
количество каналов 1 Channel
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
технология Si
конфигурация Single
channel type N Channel
рассеиваемая мощность 109Вт
power dissipation 109Вт
напряжение истока-стока vds 600В
id - непрерывный ток утечки 11 A
qg - заряд затвора 24.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 380 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
vgs - напряжение затвор-исток 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
полярность транзистора N Канал
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 9.6 ns
типичное время задержки при включении 46.5 ns
стиль корпуса транзистора TO-252(DPAK)
непрерывный ток стока 11А
сопротивление во включенном состоянии rds(on) 0.32Ом
напряжение измерения rds(on) 10В
пороговое напряжение vgs
монтаж транзистора Surface Mount
drain source on state resistance 0.32Ом
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль