Сравнение

AS7805ADTR-G1 AP7384-70V-A SIDR870ADP-T1-GE3
Цена 0 0 0 620
Информация о производителе
Основные
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500
input voltage, max: 25 V
input voltage, min: 7.5 V
load regulation: 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C
minimum operating temperature: -40 C
mounting style: SMD/SMT
number of outputs: 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators
series: AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
moisture sensitive: Yes
output current: 1 A
output voltage: 5 V
output type: Fixed
quiescent current: 6 mA
polarity: Positive
line regulation: 25 mV
package / case: TO-252-2
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вид монтажа Through Hole SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 150 C
минимальная рабочая температура 40 C 55 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Regulators
размер фабричной упаковки 2000 3000
тип продукта LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated Vishay Semiconductors
упаковка Ammo Pack
упаковка / блок TO-92-3 SO-8
выходной ток 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
тип выхода Fixed
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
серия SID
время нарастания 15 ns
время спада 9 ns
коммерческое обозначение TrenchFET
количество выводов 8вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности 125 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
channel type N Channel
рассеиваемая мощность 125Вт
power dissipation 125Вт
напряжение истока-стока vds 100В
id - непрерывный ток утечки 95 A
qg - заряд затвора 25.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 10.5 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 68 S
полярность транзистора N-Channel
типичное время задержки выключения 33 ns
типичное время задержки при включении 17 ns
стиль корпуса транзистора PowerPAK SO
непрерывный ток стока 95А
сопротивление во включенном состоянии rds(on) 0.0055Ом
напряжение измерения rds(on) 10В
пороговое напряжение vgs
монтаж транзистора Surface Mount
drain source on state resistance 0.0055Ом
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль