Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70V-A	AP7383-44W5-7	SIDR870ADP-T1-GE3
Цена	0 ₽	0 ₽	620 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
вид монтажа	Through Hole	—	SMD/SMT
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	—	МОП-транзистор
количество выходов	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C	—	55 C
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	—	MOSFETs
продукт	LDO Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	2000	—	3000
тип продукта	LDO Voltage Regulators	—	MOSFET
торговая марка	Diodes Incorporated	—	Vishay Semiconductors
упаковка	Ammo Pack	—	—
упаковка / блок	TO-92-3	—	SO-8
выходной ток	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—	—
тип выхода	Fixed	—	—
выходное напряжение	7 V	—	—
полярность	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—	—
Вес и габариты	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—	—
серия	—	—	SID
время нарастания	—	—	15 ns
время спада	—	—	9 ns
коммерческое обозначение	—	—	TrenchFET
количество выводов	—	—	8вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности	—	—	125 W
количество каналов	—	—	1 Channel
технология	—	—	Si
конфигурация	—	—	Single
channel type	—	—	N Channel
рассеиваемая мощность	—	—	125Вт
power dissipation	—	—	125Вт
напряжение истока-стока vds	—	—	100В
id - непрерывный ток утечки	—	—	95 A
qg - заряд затвора	—	—	25.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	10.5 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	100 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	3 V
канальный режим	—	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	—	68 S
полярность транзистора	—	—	N-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	33 ns
типичное время задержки при включении	—	—	17 ns
стиль корпуса транзистора	—	—	PowerPAK SO
непрерывный ток стока	—	—	95А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	—	—	0.0055Ом
напряжение измерения rds(on)	—	—	10В
пороговое напряжение vgs	—	—	3В
монтаж транзистора	—	—	Surface Mount
drain source on state resistance	—	—	0.0055Ом