Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-33Y-13	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7383-44W5-7	SSM6N15AFE,LM, MOSFET 30V VDSS 20V VGSS N-Ch 150mW PD
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	110 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
line regulation	0.05%/V	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	0.5 V	—	—
mounting type	Surface Mount	Through Hole	—	—
number of outputs	1	1	—	—
максимальная рабочая температура	125 C	—	—	—
минимальная рабочая температура	-40 C	—	—	—
выходной ток	50мА	—	—	—
линейка продукции	3.3V 50mA LDO Voltage Regulators	—	—	—
package type	SOT-89	TO-92	—	—
minimum operating temperature	-40 C	-40 °C	—	—
width	2.6mm	3.8mm	—	—
pin count	3+Tab	3	—	—
maximum operating temperature	+125 C	+125 °C	—	—
количество выводов	3вывод(-ов)	—	—	—
максимальное входное напряжение	40В	—	—	—
тип выхода	фиксированный	—	—	—
output type	Fixed	Fixed	—	—
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов	—	—	—
output voltage	3.3 V	5 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	3.3 V	—	—
polarity	Positive	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	40 V	—	—
maximum output current	50mA	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—
падение напряжения vdo	500мВ	—	—	—
стиль корпуса стабилизатора (ldo)	SOT-89	—	—	—
quiescent current	2.5uA	2.5µA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	Low Dropout Voltage	—	—
номинальное значение фиксированного выходного напряжения	—	—	—	—
вес, г	—	—	—	0.04
factory pack quantity: factory pack quantity:	—	—	—	4000
manufacturer:	—	—	—	Toshiba
maximum operating temperature:	—	—	—	+150 C
minimum operating temperature:	—	—	—	-55 C
mounting style:	—	—	—	SMD/SMT
product category:	—	—	—	MOSFET
product type:	—	—	—	MOSFET
series:	—	—	—	SSM6N15
subcategory:	—	—	—	MOSFETs
packaging:	—	—	—	Reel, Cut Tape, MouseReel
package/case:	—	—	—	ES6-6
tradename:	—	—	—	U-MOSIII
pd - power dissipation:	—	—	—	150 mW
number of channels:	—	—	—	2 Channel
technology:	—	—	—	Si
configuration:	—	—	—	Dual
channel mode:	—	—	—	Enhancement
id - continuous drain current:	—	—	—	100 mA
rds on - drain-source resistance:	—	—	—	3.6 Ohms
transistor polarity:	—	—	—	N-Channel
transistor type:	—	—	—	2 N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:	—	—	—	30 V
vgs - gate-source voltage:	—	—	—	-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:	—	—	—	800 mV