Сравнение

TK3R9E10PL,S1X
Цена 0 710
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 2
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 175 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 50
тип продукта MOSFET
торговая марка Toshiba
упаковка Tube
упаковка / блок TO-220-3
время нарастания 14 ns
время спада 22 ns
коммерческое обозначение U-MOSIX-H
pd - рассеивание мощности 230 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 100 A
qg - заряд затвора 96 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 5.8 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 88 ns
типичное время задержки при включении 35 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль