Сравнение

	STB300NH02L, Trans MOSFET N-CH Si 24V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]	VFD015M21A (1,5kW 220V) Преобразователь частоты
Цена	340 ₽	120 ₽	11 150 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
pin count	3	—	—
packaging	Tape and Reel	—	—
product category	Power MOSFET	—	—
automotive	No	—	—
eu rohs	Compliant with Exemption	—	—
lead shape	Gull-wing	—	—
maximum operating temperature (°c)	175	—	—
mounting	Surface Mount	—	—
part status	Obsolete	—	—
pcb changed	2	—	—
standard package name	TO-263	—	—
supplier package	D2PAK	—	—
eccn (us)	EAR99	—	—
maximum power dissipation (mw)	300000	—	—
minimum operating temperature (°c)	-55	—	—
configuration	Single	—	—
package height	4.6(Max)	—	—
package length	10.4(Max)	—	—
package width	9.35(Max)	—	—
process technology	STripFET	—	—
Вес и габариты	—	—	—
number of elements per chip	1	—	—
channel type	N	—	—
tab	Tab	—	—
material	Si	—	—
channel mode	Enhancement	—	—
maximum continuous drain current (a)	120	—	—
maximum drain source resistance (mohm)	1.8@10V	—	—
maximum drain source voltage (v)	24	—	—
maximum gate source voltage (v)	±20	—	—
typical fall time (ns)	94.4	—	—
typical gate charge @ 10v (nc)	109.4	—	—
typical gate charge @ vgs (nc)	109.4@10V	—	—
typical input capacitance @ vds (pf)	7055@15V	—	—
typical rise time (ns)	275	—	—
typical turn-off delay time (ns)	138	—	—
typical turn-on delay time (ns)	18	—	—
military	No	—	—
вес, г	—	1.95	—
способ монтажа	—	в отверстие	—
рабочая температура,с	—	-55…+125	—
количество фаз	—	1	—
максимальное прямое напряжение,в	—	1.1	—
максимальное импульсное обратное напряжение,в	—	1200	—
максимальное постоянное обратное напряжение,в	—	1000	—
при iпр.,а	—	1	—
максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,а	—	2	—
максимальный обратный ток,мка	—	10	—
максимальный допустимый прямой импульсный ток,а	—	50	—
артикул	—	—	VFD015M21A