Сравнение

SI3424BDV-T1-GE3
Цена 0 190
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 0.02
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка / блок TSOP-6
серия SI3
коммерческое обозначение TrenchFET
pd - рассеивание мощности 2.98 W
другие названия товара № SI3424BDV-GE3
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 8 A
qg - заряд затвора 19.6 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 28 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль