Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7383-44W5-7	CSD23203WT
Цена	0 ₽	360 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
Вес и габариты	—	—
вес, г	—	0.0017
moisture sensitivity level (msl)	—	1 (Unlimited)
mounting type	—	Surface Mount
operating temperature	—	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	—	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	—	6-UFBGA, DSBGA
rohs status	—	ROHS3 Compliant
вид монтажа	—	SMD/SMT
категория продукта	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	55 C
подкатегория	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	250
тип продукта	—	MOSFET
торговая марка	—	Texas Instruments
упаковка / блок	—	DSBGA-6
eccn	—	EAR99
htsus	—	8541.21.0095
серия	—	CSD23203W
reach status	—	REACH Unaffected
supplier device package	—	6-DSBGA
длина	—	1.5 mm
время нарастания	—	12 ns
время спада	—	27 ns
коммерческое обозначение	—	NexFET
series	—	NexFETв„ў ->
base product number	—	CSD23203 ->
технология	—	Si
technology	—	MOSFET (Metal Oxide)
manufacturer product page	—	http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
id - непрерывный ток утечки	—	3 A
qg - заряд затвора	—	4.9 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	53 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	8 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	6 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	800 mV
полярность транзистора	—	P-Channel
типичное время задержки выключения	—	58 ns
типичное время задержки при включении	—	14 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	3A (Ta)
drain to source voltage (vdss)	—	8V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	1.8V, 4.5V
fet type	—	P-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	6.3nC @ 4.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	914pF @ 4V
power dissipation (max)	—	750mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs	—	19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs (max)	—	-6V
vgs(th) (max) @ id	—	1.1V @ 250ВµA