Сравнение

AS7805ADTR-G1, Linear Voltage Regulators 1A 3-Term POS Reg Output 1A AP7384-70SA-7 IRFD9220
Цена 0 0 0 300
Информация о производителе
Основные
вес, г 1
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500
input voltage, max: 25 V
input voltage, min: 7.5 V
load regulation: 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C
minimum operating temperature: -40 C
mounting style: SMD/SMT
number of outputs: 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators
series: AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
moisture sensitive: Yes
output current: 1 A
output voltage: 5 V
output type: Fixed
quiescent current: 6 mA
polarity: Positive
line regulation: 25 mV
package / case: TO-252-2
вид монтажа SMD/SMT Through Hole
категория продукта LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 150 C
минимальная рабочая температура 40 C 55 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Voltage Regulators
размер фабричной упаковки 3000 2500
тип продукта LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated Vishay / Siliconix
упаковка / блок SOT-23-3 DIP-4
серия AP7384 IRFD
выходной ток 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
тип выхода Fixed
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
упаковка Tube
pin count 4
product category Power MOSFET
pd - рассеивание мощности 1 W
количество каналов 1 Channel
automotive No
eu rohs compliant
lead shape Through Hole
maximum operating temperature (°c) 150
mounting Through Hole
part status active
pcb changed 4
ppap No
standard package name DIP
supplier package HVMDIP
eccn (us) ear99
maximum power dissipation (mw) 1000
minimum operating temperature (°c) -55
configuration Single Dual Drain
технология Si
number of elements per chip 1
конфигурация Single
channel type P
id - непрерывный ток утечки 560 mA
qg - заряд затвора 15 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 1.5 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 200 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора P-Channel
channel mode Enhancement
maximum continuous drain current (a) 0.56
maximum drain source resistance (mohm) 1500 10V
maximum drain source voltage (v) 200
maximum gate source voltage (v) ±20
typical fall time (ns) 19
typical gate charge @ 10v (nc) 15(Max)
typical gate charge @ vgs (nc) 15(Max)10V
typical input capacitance @ vds (pf) 340 25V
typical rise time (ns) 27
typical turn-off delay time (ns) 7.3
typical turn-on delay time (ns) 8.8
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль