Сравнение

STP19NM50N
Цена 0 1 280
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 2.72
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 1000
тип продукта MOSFET
торговая марка STMicroelectronics
упаковка Tube
упаковка / блок TO-220-3
серия STP19NM50N
время нарастания 16 ns
время спада 17 ns
коммерческое обозначение MDmesh
pd - рассеивание мощности 110 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 14 A
qg - заряд затвора 34 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 250 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
vgs - напряжение затвор-исток 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 17 ns
типичное время задержки при включении 12 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль