Сравнение

SI3421DV-T1-GE3
Цена 0 110
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 0.02
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка / блок TSOP-6
серия SI3
время нарастания 9 ns
время спада 13 ns
коммерческое обозначение TrenchFET
pd - рассеивание мощности 4.2 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 8 A
qg - заряд затвора 46 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 19.2 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
vgs - напряжение затвор-исток 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 30 S
полярность транзистора P-Channel
тип транзистора 1 P-Channel
типичное время задержки выключения 55 ns
типичное время задержки при включении 7 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль