Сравнение

AS7805ADTR-G1, Linear Voltage Regulators 1A 3-Term POS Reg Output 1A AS7805ADTR-G1 STL3NM60N
Цена 0 0 810
Информация о производителе
Основные
вес, г 1
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500 2500
input voltage, max: 25 V 25 V
input voltage, min: 7.5 V 7.5 V
load regulation: 20 mV 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C +125 C
minimum operating temperature: -40 C -40 C
mounting style: SMD/SMT SMD/SMT
number of outputs: 1 Output 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
series: AS7805 AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs PMIC-Power Management ICs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
moisture sensitive: Yes Yes
output current: 1 A 1 A
output voltage: 5 V 5 V
output type: Fixed Fixed
quiescent current: 6 mA 6 mA
polarity: Positive Positive
line regulation: 25 mV 25 mV
package / case: TO-252-2 TO-252-2
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка STMicroelectronics
упаковка / блок PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
серия STL3NM60N
время нарастания 6.2 ns
время спада 20 ns
коммерческое обозначение MDmesh
pin count 8
packaging Tape and Reel
product category Power MOSFET
pd - рассеивание мощности 2 W
количество каналов 1 Channel
automotive No
eu rohs compliant
lead shape no lead
maximum operating temperature (°c) 150
mounting surface mount
part status active
pcb changed 8
ppap No
supplier package Power Flat
eccn (us) ear99
maximum power dissipation (mw) 2000
minimum operating temperature (°c) -55
configuration Single Quad Drain Triple Source
process technology MDmesh
технология Si
number of elements per chip 1
конфигурация Single Quad Drain Triple Source
channel type N
id - непрерывный ток утечки 2.2 A
qg - заряд затвора 9.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 1.8 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
vgs - напряжение затвор-исток 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel Power MOSFET
типичное время задержки выключения 20.8 ns
типичное время задержки при включении 8.6 ns
channel mode Enhancement
maximum continuous drain current (a) 0.65
maximum drain source resistance (mohm) 1800 10V
maximum drain source voltage (v) 600
maximum gate source leakage current (na) 100
maximum gate source voltage (v) ±25
maximum gate threshold voltage (v) 4
maximum idss (ua) 1
typical fall time (ns) 20
typical gate charge @ 10v (nc) 9.5
typical gate charge @ vgs (nc) 9.5 10V
typical input capacitance @ vds (pf) 188 50V
typical rise time (ns) 6.2
typical turn-off delay time (ns) 20.8
typical turn-on delay time (ns) 8.6
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль