|
|
|
|
| Цена |
0 ₽
|
0 ₽
|
810 ₽
|
| Информация о производителе |
—
|
—
|
—
|
| Основные |
—
|
—
|
—
|
| вес, г |
1
|
—
|
—
|
| factory pack quantity: factory pack quantity: |
2500
|
—
|
—
|
| input voltage, max: |
25 V
|
—
|
—
|
| input voltage, min: |
7.5 V
|
—
|
—
|
| load regulation: |
20 mV
|
—
|
—
|
| manufacturer: |
Diodes Incorporated
|
—
|
—
|
| maximum operating temperature: |
+125 C
|
—
|
—
|
| minimum operating temperature: |
-40 C
|
—
|
—
|
| mounting style: |
SMD/SMT
|
—
|
—
|
| number of outputs: |
1 Output
|
—
|
—
|
| product category: |
Linear Voltage Regulators
|
—
|
—
|
| product type: |
Linear Voltage Regulators
|
—
|
—
|
| series: |
AS7805
|
—
|
—
|
| subcategory: |
PMIC-Power Management ICs
|
—
|
—
|
| packaging: |
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
—
|
—
|
| Вес и габариты |
—
|
—
|
—
|
| moisture sensitive: |
Yes
|
—
|
—
|
| output current: |
1 A
|
—
|
—
|
| output voltage: |
5 V
|
—
|
—
|
| output type: |
Fixed
|
—
|
—
|
| quiescent current: |
6 mA
|
—
|
—
|
| polarity: |
Positive
|
—
|
—
|
| line regulation: |
25 mV
|
—
|
—
|
| package / case: |
TO-252-2
|
—
|
—
|
| вид монтажа |
—
|
SMD/SMT
|
SMD/SMT
|
| категория продукта |
—
|
LDO регуляторы напряжения
|
МОП-транзистор
|
| количество выходов |
—
|
1 Output
|
—
|
| максимальная рабочая температура |
—
|
+ 125 C
|
+ 150 C
|
| минимальная рабочая температура |
—
|
40 C
|
55 C
|
| подкатегория |
—
|
PMIC - Power Management ICs
|
MOSFETs
|
| продукт |
—
|
LDO Voltage Regulators
|
—
|
| размер фабричной упаковки |
—
|
3000
|
3000
|
| тип продукта |
—
|
LDO Voltage Regulators
|
MOSFET
|
| торговая марка |
—
|
Diodes Incorporated
|
STMicroelectronics
|
| упаковка / блок |
—
|
SOT-23-3
|
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
|
| серия |
—
|
AP7384
|
STL3NM60N
|
| выходной ток |
—
|
50 mA
|
—
|
| нестабильность выходной нагрузки |
—
|
0.5 %
|
—
|
| тип выхода |
—
|
Fixed
|
—
|
| выходное напряжение |
—
|
7 V
|
—
|
| полярность |
—
|
Positive
|
—
|
| входное напряжение (макс.) |
—
|
40 V
|
—
|
| входное напряжение мин. |
—
|
3.3 V
|
—
|
| нестабильность выходного напряжения или тока |
—
|
0.05 %/V
|
—
|
| напряжение отпускания |
—
|
500 mV
|
—
|
| подавление пульсаций питания - типич. |
—
|
60 dB
|
—
|
| время нарастания |
—
|
—
|
6.2 ns
|
| время спада |
—
|
—
|
20 ns
|
| коммерческое обозначение |
—
|
—
|
MDmesh
|
| pin count |
—
|
—
|
8
|
| packaging |
—
|
—
|
Tape and Reel
|
| product category |
—
|
—
|
Power MOSFET
|
| pd - рассеивание мощности |
—
|
—
|
2 W
|
| количество каналов |
—
|
—
|
1 Channel
|
| automotive |
—
|
—
|
No
|
| eu rohs |
—
|
—
|
compliant
|
| lead shape |
—
|
—
|
no lead
|
| maximum operating temperature (°c) |
—
|
—
|
150
|
| mounting |
—
|
—
|
surface mount
|
| part status |
—
|
—
|
active
|
| pcb changed |
—
|
—
|
8
|
| ppap |
—
|
—
|
No
|
| supplier package |
—
|
—
|
Power Flat
|
| eccn (us) |
—
|
—
|
ear99
|
| maximum power dissipation (mw) |
—
|
—
|
2000
|
| minimum operating temperature (°c) |
—
|
—
|
-55
|
| configuration |
—
|
—
|
Single Quad Drain Triple Source
|
| process technology |
—
|
—
|
MDmesh
|
| технология |
—
|
—
|
Si
|
| number of elements per chip |
—
|
—
|
1
|
| конфигурация |
—
|
—
|
Single Quad Drain Triple Source
|
| channel type |
—
|
—
|
N
|
| id - непрерывный ток утечки |
—
|
—
|
2.2 A
|
| qg - заряд затвора |
—
|
—
|
9.5 nC
|
| rds вкл - сопротивление сток-исток |
—
|
—
|
1.8 Ohms
|
| vds - напряжение пробоя сток-исток |
—
|
—
|
600 V
|
| vgs - напряжение затвор-исток |
—
|
—
|
10 V
|
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток |
—
|
—
|
2 V
|
| канальный режим |
—
|
—
|
Enhancement
|
| полярность транзистора |
—
|
—
|
N-Channel
|
| тип транзистора |
—
|
—
|
1 N-Channel Power MOSFET
|
| типичное время задержки выключения |
—
|
—
|
20.8 ns
|
| типичное время задержки при включении |
—
|
—
|
8.6 ns
|
| channel mode |
—
|
—
|
Enhancement
|
| maximum continuous drain current (a) |
—
|
—
|
0.65
|
| maximum drain source resistance (mohm) |
—
|
—
|
1800 10V
|
| maximum drain source voltage (v) |
—
|
—
|
600
|
| maximum gate source leakage current (na) |
—
|
—
|
100
|
| maximum gate source voltage (v) |
—
|
—
|
±25
|
| maximum gate threshold voltage (v) |
—
|
—
|
4
|
| maximum idss (ua) |
—
|
—
|
1
|
| typical fall time (ns) |
—
|
—
|
20
|
| typical gate charge @ 10v (nc) |
—
|
—
|
9.5
|
| typical gate charge @ vgs (nc) |
—
|
—
|
9.5 10V
|
| typical input capacitance @ vds (pf) |
—
|
—
|
188 50V
|
| typical rise time (ns) |
—
|
—
|
6.2
|
| typical turn-off delay time (ns) |
—
|
—
|
20.8
|
| typical turn-on delay time (ns) |
—
|
—
|
8.6
|
