Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70V-A	STL3NM60N
Цена	0 ₽	810 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
вид монтажа	Through Hole	SMD/SMT
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	МОП-транзистор
количество выходов	1 Output	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C	55 C
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	MOSFETs
продукт	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	2000	3000
тип продукта	LDO Voltage Regulators	MOSFET
торговая марка	Diodes Incorporated	STMicroelectronics
упаковка	Ammo Pack	—
упаковка / блок	TO-92-3	PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
выходной ток	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—
тип выхода	Fixed	—
выходное напряжение	7 V	—
полярность	Positive	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—
Вес и габариты	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—
серия	—	STL3NM60N
время нарастания	—	6.2 ns
время спада	—	20 ns
коммерческое обозначение	—	MDmesh
pin count	—	8
packaging	—	Tape and Reel
product category	—	Power MOSFET
pd - рассеивание мощности	—	2 W
количество каналов	—	1 Channel
automotive	—	No
eu rohs	—	compliant
lead shape	—	no lead
maximum operating temperature (°c)	—	150
mounting	—	surface mount
part status	—	active
pcb changed	—	8
ppap	—	No
supplier package	—	Power Flat
eccn (us)	—	ear99
maximum power dissipation (mw)	—	2000
minimum operating temperature (°c)	—	-55
configuration	—	Single Quad Drain Triple Source
process technology	—	MDmesh
технология	—	Si
number of elements per chip	—	1
конфигурация	—	Single Quad Drain Triple Source
channel type	—	N
id - непрерывный ток утечки	—	2.2 A
qg - заряд затвора	—	9.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	1.8 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	600 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	2 V
канальный режим	—	Enhancement
полярность транзистора	—	N-Channel
тип транзистора	—	1 N-Channel Power MOSFET
типичное время задержки выключения	—	20.8 ns
типичное время задержки при включении	—	8.6 ns
channel mode	—	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	—	0.65
maximum drain source resistance (mohm)	—	1800 10V
maximum drain source voltage (v)	—	600
maximum gate source leakage current (na)	—	100
maximum gate source voltage (v)	—	±25
maximum gate threshold voltage (v)	—	4
maximum idss (ua)	—	1
typical fall time (ns)	—	20
typical gate charge @ 10v (nc)	—	9.5
typical gate charge @ vgs (nc)	—	9.5 10V
typical input capacitance @ vds (pf)	—	188 50V
typical rise time (ns)	—	6.2
typical turn-off delay time (ns)	—	20.8
typical turn-on delay time (ns)	—	8.6