Сравнение

SI9933CDY-T1-E3, Двойной МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 4 А, 0.048 Ом, SOIC, Surface Mount
Цена 0 140
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 0.113
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 50 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 2500
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка / блок SO-8
серия SI9
время нарастания 50 ns
время спада 13 ns
коммерческое обозначение TrenchFET
pd - рассеивание мощности 3.1 W
другие названия товара № SI9933CDY-E3
количество каналов 2 Channel
технология Si
конфигурация Dual
id - непрерывный ток утечки 4 A
qg - заряд затвора 26 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 58 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
vgs - напряжение затвор-исток 12 V, + 12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 600 mV
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 11 S
полярность транзистора P-Channel
тип транзистора 2 P-Channel
типичное время задержки выключения 29 ns
типичное время задержки при включении 21 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль