Сравнение

	AP7384-33Y-13	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7383-44W5-7	STD13NM60ND, N-Channel MOSFET, 11 A, 600 V, 3-Pin DPAK STD13NM60ND
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	920 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
line regulation	0.05%/V	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	0.5 V	—	—
mounting type	Surface Mount	Through Hole	—	—
number of outputs	1	1	—	—
максимальная рабочая температура	125 C	—	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	-40 C	—	—	55 C
выходной ток	50мА	—	—	—
линейка продукции	3.3V 50mA LDO Voltage Regulators	—	—	FDmesh II
package type	SOT-89	TO-92	—	—
minimum operating temperature	-40 C	-40 °C	—	—
width	2.6mm	3.8mm	—	—
pin count	3+Tab	3	—	—
maximum operating temperature	+125 C	+125 °C	—	—
количество выводов	3вывод(-ов)	—	—	3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение	40В	—	—	—
тип выхода	фиксированный	—	—	—
output type	Fixed	Fixed	—	—
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов	—	—	MSL 1-Безлимитный
output voltage	3.3 V	5 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	3.3 V	—	—
polarity	Positive	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	40 V	—	—
maximum output current	50mA	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—
падение напряжения vdo	500мВ	—	—	—
стиль корпуса стабилизатора (ldo)	SOT-89	—	—	—
quiescent current	2.5uA	2.5µA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	Low Dropout Voltage	—	—
номинальное значение фиксированного выходного напряжения	—	—	—	—
вес, г	—	—	—	5
вид монтажа	—	—	—	SMD/SMT
категория продукта	—	—	—	МОП-транзистор
подкатегория	—	—	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	—	—	2500
тип продукта	—	—	—	MOSFET
торговая марка	—	—	—	STMicroelectronics
упаковка	—	—	—	Tube
упаковка / блок	—	—	—	TO-252-3
серия	—	—	—	STD13NM60ND
время нарастания	—	—	—	10 ns
время спада	—	—	—	15.4 ns
pd - рассеивание мощности	—	—	—	109 W
количество каналов	—	—	—	1 Channel
технология	—	—	—	Si
конфигурация	—	—	—	Single
channel type	—	—	—	N Channel
рассеиваемая мощность	—	—	—	109Вт
power dissipation	—	—	—	109Вт
напряжение истока-стока vds	—	—	—	600В
id - непрерывный ток утечки	—	—	—	11 A
qg - заряд затвора	—	—	—	24.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	—	380 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	—	650 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	—	25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	—	4 V
полярность транзистора	—	—	—	N-Channel
тип транзистора	—	—	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	—	9.6 ns
типичное время задержки при включении	—	—	—	46.5 ns
стиль корпуса транзистора	—	—	—	TO-252(DPAK)
непрерывный ток стока	—	—	—	11А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	—	—	—	0.32Ом
напряжение измерения rds(on)	—	—	—	10В
пороговое напряжение vgs	—	—	—	4В
монтаж транзистора	—	—	—	Surface Mount
drain source on state resistance	—	—	—	0.32Ом