Сравнение

NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220] CSD17309Q3, MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]
Цена 130 360 120
Информация о производителе
Основные
артикул NCE3050-TO220
вес, г 2 0.04 1.95
Вес и габариты
package / case VSON-CLIP-8
type Power MOSFET
minimum operating temperature -55 C
factory pack quantity 2500
manufacturer Texas Instruments
maximum operating temperature +150 C
mounting style SMD/SMT
packaging Cut Tape or Reel
product category MOSFET
product type MOSFET
series CSD17309Q3
subcategory MOSFETs
configuration Single
fall time 3.6 ns
rise time 9.9 ns
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500
manufacturer: Texas Instruments
maximum operating temperature: +150 C
minimum operating temperature: -55 C
mounting style: SMD/SMT
product category: MOSFET
product type: MOSFET
series: CSD17309Q3
subcategory: MOSFETs
type: Power MOSFET
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel
number of channels 1 Channel
package/case: VSON-CLIP-8
tradename: NexFET
tradename NexFET
pd - power dissipation: 2.8 W
technology Si
number of channels: 1 Channel
development kit DLPDLCR4710EVM-G2, TPS65982-EVM, TPS65983EVM
development kit: DLPDLCR4710EVM-G2, TPS65982-EVM, TPS65983EVM
pd - power dissipation 2.8 W
technology: Si
configuration: Single
channel mode Enhancement
rds on - drain-source resistance 5.4 mOhms
transistor polarity N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage 30 V
vgs - gate-source voltage 8 V
id - continuous drain current 60 A
typical turn-on delay time 6.1 ns
typical turn-off delay time 13.2 ns
forward transconductance - min 67 S
qg - gate charge 7.5 nC
transistor type 1 N-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage 1.2 V
channel mode: Enhancement
id - continuous drain current: 60 A
qg - gate charge: 7.5 nC
rds on - drain-source resistance: 5.4 mOhms
transistor polarity: N-Channel
transistor type: 1 N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage: 30 V
vgs - gate-source voltage: -8 V, +8 V
vgs th - gate-source threshold voltage: 1.2 V
typical turn-off delay time: 13.2 ns
typical turn-on delay time: 6.1 ns
forward transconductance - min: 67 S
способ монтажа в отверстие
рабочая температура,с -55…+125
количество фаз 1
максимальное прямое напряжение,в 1.1
максимальное импульсное обратное напряжение,в 1200
максимальное постоянное обратное напряжение,в 1000
при iпр.,а 1
максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,а 2
максимальный обратный ток,мка 10
максимальный допустимый прямой импульсный ток,а 50
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль