Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7384-70V-A	AP7383-44W5-7	IRFD110PBF
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	450 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—	—
load regulation	0.5 V	—	—	—
mounting type	Through Hole	—	—	—
number of outputs	1	—	—	—
package type	TO-92	—	—	—
minimum operating temperature	-40 °C	—	—	—
width	3.8mm	—	—	—
pin count	3	—	—	—
maximum operating temperature	+125 °C	—	—	—
output type	Fixed	—	—	—
output voltage	5 V	—	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—	—
polarity	Positive	—	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—	—
maximum output current	50mA	—	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—
quiescent current	2.5µA	—	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—	—
вид монтажа	—	Through Hole	—	Through Hole
категория продукта	—	LDO регуляторы напряжения	—	МОП-транзистор
количество выходов	—	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	—	+ 125 C	—	+ 175 C
минимальная рабочая температура	—	40 C	—	55 C
подкатегория	—	PMIC - Power Management ICs	—	MOSFETs
продукт	—	LDO Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	—	2000	—	2500
тип продукта	—	LDO Voltage Regulators	—	MOSFET
торговая марка	—	Diodes Incorporated	—	Vishay / Siliconix
упаковка	—	Ammo Pack	—	Tube
упаковка / блок	—	TO-92-3	—	HVMDIP-4
выходной ток	—	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	—	0.5 %	—	—
тип выхода	—	Fixed	—	—
выходное напряжение	—	7 V	—	—
полярность	—	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	—	40 V	—	—
входное напряжение мин.	—	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	—	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	—	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	—	60 dB	—	—
Производитель	—	—	—	Vishay
вес, г	—	—	—	0.3
серия	—	—	—	IRFD
длина	—	—	—	6.29 mm
время нарастания	—	—	—	16 ns
время спада	—	—	—	9.4 ns
тип корпуса	—	—	—	HVMDIP
тип монтажа	—	—	—	Монтаж на плату в отверстия
число контактов	—	—	—	4
размеры	—	—	—	5 x 6.29 x 3.37мм
pd - рассеивание мощности	—	—	—	1.3 W
количество каналов	—	—	—	1 Channel
технология	—	—	—	Si
количество элементов на ис	—	—	—	1
максимальное рассеяние мощности	—	—	—	1,3 Вт
конфигурация	—	—	—	Single
тип канала	—	—	—	N
transistor configuration	—	—	—	Одинарный
id - непрерывный ток утечки	—	—	—	1 A
qg - заряд затвора	—	—	—	8.3 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	—	540 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	—	100 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	—	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	—	2 V
канальный режим	—	—	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	—	—	0.8 S
полярность транзистора	—	—	—	N-Channel
тип транзистора	—	—	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	—	15 ns
типичное время задержки при включении	—	—	—	6.9 ns
максимальное сопротивление сток-исток	—	—	—	540 mΩ
максимальное напряжение затвор-исток	—	—	—	-20 В, +20 В
максимальное напряжение сток-исток	—	—	—	100 В
типичный заряд затвора при vgs	—	—	—	8.3 nC @ 10 V
номер канала	—	—	—	Поднятие
максимальный непрерывный ток стока	—	—	—	1 А
материал транзистора	—	—	—	SI
типичное время задержки включения	—	—	—	6.9 ns
minimum gate threshold voltage	—	—	—	2V
категория	—	—	—	Мощный МОП-транзистор
типичная входная емкость при vds	—	—	—	180 pF @ 25 V
rds on - drain-source resistance	—	—	—	540mО© @ 600mA,10V
transistor polarity	—	—	—	N Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	—	—	100V
vgs - gate-source voltage	—	—	—	4V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c	—	—	—	1A
power dissipation-max (ta=25в°c)	—	—	—	1.3W