Сравнение

Цена 0 1 240
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance 190mО© @ 9A,10V
transistor polarity N Channel
vds - drain-source breakdown voltage 600V
vgs - gate-source voltage 4V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c 18A(Tc)
power dissipation-max (ta=25в°c) 30W(Tc)
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль