Сравнение

AS7805ADTR-G1, Linear Voltage Regulators 1A 3-Term POS Reg Output 1A AS7805AT-E1 AS7805ADTR-G1 NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220] STD35NF06T4 KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP] VFD015M21A (1,5kW 220V) Преобразователь частоты
Цена 0 0 0 130 620 120 11 150
Информация о производителе
Основные
вес, г 1 2 1.95
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500 1000 2500
input voltage, max: 25 V 25 V 25 V
input voltage, min: 7.5 V 7.5 V 7.5 V
load regulation: 20 mV 20 mV 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C +125 C +125 C
minimum operating temperature: -40 C -40 C -40 C
mounting style: SMD/SMT Through Hole SMD/SMT
number of outputs: 1 Output 1 Output 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
series: AS7805 AS7805 AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs PMIC-Power Management ICs PMIC-Power Management ICs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel Tube Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
moisture sensitive: Yes Yes
output current: 1 A 1 A 1 A
output voltage: 5 V 5 V 5 V
output type: Fixed Fixed Fixed
quiescent current: 6 mA 6 mA 6 mA
polarity: Positive Positive Positive
line regulation: 25 mV 25 mV 25 mV
package / case: TO-252-2 TO-220-3 TO-252-2
number of outputs 1
minimum operating temperature -40В°C
maximum operating temperature 125В°C
output type Fixed
output voltage 5V
output current 1A
output configuration Positive
input voltage max 25V
quiescent current 6mA
voltage dropout (max) 2V @ 1A(typ)
psrr / ripple rejection - typ 70dB(120Hz)
psrr / ripple rejection - typ: 70 dB
артикул NCE3050-TO220 VFD015M21A
Производитель STMicroelectronics
максимальная рабочая температура +175 °C
минимальная рабочая температура -55 °C
серия STripFET
длина 6.6мм
тип корпуса DPAK (TO-252)
тип монтажа Поверхностный монтаж
число контактов 3
размеры 6.6 x 6.2 x 2.4мм
количество элементов на ис 1
максимальное рассеяние мощности 80 Вт
тип канала N
transistor configuration Одинарный
типичное время задержки выключения 36 нс
максимальное сопротивление сток-исток 20 mΩ
максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
maximum gate threshold voltage 4V
максимальное напряжение сток-исток 60 В
типичный заряд затвора при vgs 44,5 нКл при 10 В
номер канала Поднятие
максимальный непрерывный ток стока 35 A
материал транзистора Кремний
типичное время задержки включения 20 нс
minimum gate threshold voltage 2V
категория Мощный МОП-транзистор
типичная входная емкость при vds 1300 pF @ 25 V
способ монтажа в отверстие
рабочая температура,с -55…+125
количество фаз 1
максимальное прямое напряжение,в 1.1
максимальное импульсное обратное напряжение,в 1200
максимальное постоянное обратное напряжение,в 1000
при iпр.,а 1
максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,а 2
максимальный обратный ток,мка 10
максимальный допустимый прямой импульсный ток,а 50
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль