Сравнение

AP7384-33Y-13 CSD75208W1015T
Цена 0 0 370
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V 0.05%/V
load regulation 0.5 V 0.5 V
mounting type Surface Mount Through Hole Surface Mount
number of outputs 1 1
максимальная рабочая температура 125 C + 150 C
минимальная рабочая температура -40 C 55 C
выходной ток 50мА
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
package type SOT-89 TO-92
minimum operating temperature -40 C -40 °C
width 2.6mm 3.8mm
pin count 3+Tab 3
maximum operating temperature +125 C +125 °C
количество выводов 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный
output type Fixed Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
output voltage 3.3 V 5 V
minimum input voltage 3.3 V 3.3 V
polarity Positive Positive
maximum input voltage 40 V 40 V
maximum output current 50mA 50mA
Вес и габариты
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
quiescent current 2.5uA 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case 6-UFBGA, DSBGA
rohs status ROHS3 Compliant
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 250
тип продукта MOSFET
торговая марка Texas Instruments
упаковка / блок DSBGA-6
eccn EAR99
htsus 8541.21.0095
серия CSD75208W1015
reach status REACH Unaffected
supplier device package 6-DSBGA
длина 1.5 mm
время нарастания 5 ns
время спада 11 ns
коммерческое обозначение NexFET
series NexFETв„ў ->
pd - рассеивание мощности 750 mW
количество каналов 2 Channel
base product number CSD75208W1015 ->
технология Si
конфигурация Dual
manufacturer product page http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
id - непрерывный ток утечки 1.6 A
qg - заряд затвора 1.9 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 150 mOhms, 285 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
vgs - напряжение затвор-исток 6 V, + 6 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 800 mV
канальный режим Enhancement
полярность транзистора P-Channel
тип транзистора 2 P-Channel
типичное время задержки выключения 29 ns
типичное время задержки при включении 9 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c 1.6A
drain to source voltage (vdss) 20V
fet type 2 P-Channel (Dual) Common Source
gate charge (qg) (max) @ vgs 2.5nC @ 4.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 410pF @ 10V
rds on (max) @ id, vgs 68mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id 1.1V @ 250ВµA
power - max 750mW
fet feature Logic Level Gate
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль