Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	CSD75208W1015T
Цена	370 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	6-UFBGA, DSBGA
rohs status	ROHS3 Compliant
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	250
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Texas Instruments
упаковка / блок	DSBGA-6
eccn	EAR99
htsus	8541.21.0095
серия	CSD75208W1015
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	6-DSBGA
длина	1.5 mm
время нарастания	5 ns
время спада	11 ns
коммерческое обозначение	NexFET
series	NexFETв„ў ->
pd - рассеивание мощности	750 mW
количество каналов	2 Channel
base product number	CSD75208W1015 ->
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Dual
manufacturer product page	http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
id - непрерывный ток утечки	1.6 A
qg - заряд затвора	1.9 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	150 mOhms, 285 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
vgs - напряжение затвор-исток	6 V, + 6 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	800 mV
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	P-Channel
тип транзистора	2 P-Channel
типичное время задержки выключения	29 ns
типичное время задержки при включении	9 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c	1.6A
drain to source voltage (vdss)	20V
fet type	2 P-Channel (Dual) Common Source
gate charge (qg) (max) @ vgs	2.5nC @ 4.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	410pF @ 10V
rds on (max) @ id, vgs	68mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id	1.1V @ 250ВµA
power - max	750mW
fet feature	Logic Level Gate