Сравнение

STB6N80K5
Цена 77
Информация о производителе
Основные
вес, г 2.1
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 1000
тип продукта MOSFET
торговая марка STMicroelectronics
упаковка / блок TO-263-3
серия STB6N80K5
коммерческое обозначение MDmesh
pd - рассеивание мощности 110 W
количество каналов 1 Channel
Вес и габариты
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 4.5 A
qg - заряд затвора 7.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 1.6 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 800 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль