Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	STP9N65M2
Цена	0 ₽	560 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
line regulation	0.05%/V	—
load regulation	0.5 V	—
mounting type	Through Hole	Through Hole
number of outputs	1	—
package type	TO-92	—
minimum operating temperature	-40 °C	—
width	3.8mm	—
pin count	3	—
maximum operating temperature	+125 °C	—
output type	Fixed	—
output voltage	5 V	—
minimum input voltage	3.3 V	—
polarity	Positive	—
maximum input voltage	40 V	—
maximum output current	50mA	—
Вес и габариты	—	—
quiescent current	2.5µA	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—
moisture sensitivity level (msl)	—	1 (Unlimited)
operating temperature	—	150В°C (TJ)
package	—	Tube
package / case	—	TO-220-3
rohs status	—	ROHS3 Compliant
вид монтажа	—	Through Hole
категория продукта	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	55 C
подкатегория	—	MOSFETs
продукт	—	Power MOSFET
размер фабричной упаковки	—	1000
тип продукта	—	MOSFET
торговая марка	—	STMicroelectronics
упаковка	—	Tube
упаковка / блок	—	TO-220-3
eccn	—	EAR99
htsus	—	8541.29.0095
серия	—	STP9N65M2
reach status	—	REACH Unaffected
supplier device package	—	TO-220
время нарастания	—	6.6 ns
время спада	—	18 ns
коммерческое обозначение	—	MDmesh
series	—	MDmeshв„ў ->
pd - рассеивание мощности	—	60 W
количество каналов	—	1 Channel
base product number	—	STP9N65 ->
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
technology	—	MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки	—	5 A
qg - заряд затвора	—	10 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	900 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	650 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	3 V
полярность транзистора	—	N-Channel
тип транзистора	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	22.5 ns
типичное время задержки при включении	—	7.5 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	5A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	—	650V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	10V
fet type	—	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	10nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	315pF @ 100V
power dissipation (max)	—	60W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	—	900mOhm @ 2.5A, 10V
vgs (max)	—	В±25V
vgs(th) (max) @ id	—	4V @ 250ВµA