Сравнение

	$TK31Z60X,S1F, MOSFET TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETМОП-транзисторы DTMOSIV-H Полевые МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV-H подходят для приложений, требующих высокой надежности, энергоэффективности и компактного дизайна, таких как высокоэффективные импульсные источники питания для серверов и базовых телекоммуникационных станций, а также в качестве кондиционеров для фотоэлектрических инверторов. МОП-транзисторы DTMOSIV-H обеспечивают высокую скорость переключения при сохранении низкого уровня сопротивления в открытом состоянии, характерного для обычных DTMOSIV, и без потери мощности. Это достигается за счет уменьшения паразитной емкости между затвором и стоком, что также способствует повышению энергоэффективности и уменьшению размеров изделий.$ TK31Z60X,S1F, MOSFET TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS
Цена	3 390 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	6
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
package	Tube
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
series	*
base product number	TLP781 ->
factory pack quantity: factory pack quantity:	25
manufacturer:	Toshiba
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style:	Through Hole
product category:	MOSFET
product type:	MOSFET
subcategory:	MOSFETs
packaging:	Tube
Вес и габариты	—
package/case:	TO-247-4
tradename:	DTMOSIV-H
pd - power dissipation:	230 W
number of channels:	1 Channel
technology:	Si
configuration:	Single
channel mode:	Enhancement
id - continuous drain current:	30.8 A
qg - gate charge:	65 nC
rds on - drain-source resistance:	88 mOhms
transistor polarity:	N-Channel
transistor type:	1 N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:	600 V
vgs - gate-source voltage:	-30 V, +30 V
vgs th - gate-source threshold voltage:	3.5 V
typical turn-off delay time:	130 ns
typical turn-on delay time:	50 ns