Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	STW42N60M2-EP
Цена	0 ₽	2 450 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
line regulation	0.05%/V	—
load regulation	0.5 V	—
mounting type	Through Hole	—
number of outputs	1	—
package type	TO-92	—
minimum operating temperature	-40 °C	—
width	3.8mm	—
pin count	3	—
maximum operating temperature	+125 °C	—
output type	Fixed	—
output voltage	5 V	—
minimum input voltage	3.3 V	—
polarity	Positive	—
maximum input voltage	40 V	—
maximum output current	50mA	—
Вес и габариты	—	—
quiescent current	2.5µA	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—
вес, г	—	38
вид монтажа	—	Through Hole
категория продукта	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	55 C
подкатегория	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	600
тип продукта	—	MOSFET
торговая марка	—	STMicroelectronics
упаковка	—	Tube
упаковка / блок	—	TO-247-3
серия	—	STW42N60M2-EP
время нарастания	—	9.5 ns
время спада	—	8 ns
линейка продукции	—	MDmesh M2
коммерческое обозначение	—	MDmesh
количество выводов	—	3вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности	—	250 W
количество каналов	—	1 Channel
уровень чувствительности к влажности (msl)	—	MSL 1-Безлимитный
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
channel type	—	N Channel
рассеиваемая мощность	—	250Вт
power dissipation	—	250Вт
напряжение истока-стока vds	—	600В
id - непрерывный ток утечки	—	34 A
qg - заряд затвора	—	55 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	87 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	600 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	2 V
канальный режим	—	Enhancement
полярность транзистора	—	N-Channel
типичное время задержки выключения	—	96.5 ns
типичное время задержки при включении	—	16.5 ns
стиль корпуса транзистора	—	TO-247
непрерывный ток стока	—	34А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	—	0.076Ом
напряжение измерения rds(on)	—	10В
пороговое напряжение vgs	—	3В
монтаж транзистора	—	Through Hole
drain source on state resistance	—	0.076Ом