Сравнение

AP7384-33Y-13 STW42N60M2-EP
Цена 0 0 2 450
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Surface Mount
number of outputs 1
максимальная рабочая температура 125 C + 150 C
минимальная рабочая температура -40 C 55 C
выходной ток 50мА
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators MDmesh M2
package type SOT-89
minimum operating temperature -40 C
width 2.6mm
pin count 3+Tab
maximum operating temperature +125 C
количество выводов 3вывод(-ов) 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный
output type Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов MSL 1-Безлимитный
output voltage 3.3 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
quiescent current 2.5uA
regulator type Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
вес, г 38
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 600
тип продукта MOSFET
торговая марка STMicroelectronics
упаковка Tube
упаковка / блок TO-247-3
серия STW42N60M2-EP
время нарастания 9.5 ns
время спада 8 ns
коммерческое обозначение MDmesh
pd - рассеивание мощности 250 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
channel type N Channel
рассеиваемая мощность 250Вт
power dissipation 250Вт
напряжение истока-стока vds 600В
id - непрерывный ток утечки 34 A
qg - заряд затвора 55 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 87 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
vgs - напряжение затвор-исток 25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
типичное время задержки выключения 96.5 ns
типичное время задержки при включении 16.5 ns
стиль корпуса транзистора TO-247
непрерывный ток стока 34А
сопротивление во включенном состоянии rds(on) 0.076Ом
напряжение измерения rds(on) 10В
пороговое напряжение vgs
монтаж транзистора Through Hole
drain source on state resistance 0.076Ом
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль