Сравнение

AP7384-70V-A SSM3K17FU,LF
Цена 0 0 0 110
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole Surface Mount
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вид монтажа Through Hole SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 150 C
минимальная рабочая температура 40 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Regulators
размер фабричной упаковки 2000 3000
тип продукта LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated Toshiba
упаковка Ammo Pack Reel, Cut Tape
упаковка / блок TO-92-3 SOT-323-3
выходной ток 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
тип выхода Fixed
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature 150В°C (TJ)
package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case SC-70, SOT-323
rohs status RoHS Compliant
eccn EAR99
htsus 8541.21.0095
серия SSM3K17FU
supplier device package USM
series ПЂ-MOSV ->
pd - рассеивание мощности 150 mW
количество каналов 1 Channel
base product number TC74VHC164 ->
технология Si
конфигурация Single
technology MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки 100 mA
rds вкл - сопротивление сток-исток 20 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 50 V
vgs - напряжение затвор-исток 4 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 900 mV
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 20 mS
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 40 ns
типичное время задержки при включении 100 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c 100mA (Ta)
drain to source voltage (vdss) 50V
drive voltage (max rds on, min rds on) 2.5V, 4V
fet type N-Channel
input capacitance (ciss) (max) @ vds 7pF @ 3V
power dissipation (max) 150mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs 20Ohm @ 10mA, 4V
vgs (max) В±7V
vgs(th) (max) @ id 1.5V @ 1ВµA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль