Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	SIZF916DT-T1-GE3
Цена	490 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay / Siliconix
упаковка / блок	PowerPAIR-6x5F-8
серия	SIZ
время нарастания	45 ns, 60 ns
время спада	10 ns, 20 ns
коммерческое обозначение	TrenchFET
pd - рассеивание мощности	26.6 W, 60 W
количество каналов	2 Channel
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Dual
id - непрерывный ток утечки	40 A, 60 A
qg - заряд затвора	14.6 nC, 62 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	12.7 mOhms, 6.58 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	4.5 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.1 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel, NPN
тип транзистора	2 N-Channel
типичное время задержки выключения	20 ns, 45 ns
типичное время задержки при включении	17 ns, 30 ns