Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	SIA414DJ-T1-GE3
Цена	290 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	1
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay / Siliconix
упаковка / блок	SC-70-6
серия	SIA
время нарастания	10 ns
время спада	20 ns
коммерческое обозначение	TrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности	19 W
другие названия товара №	SIA414DJ-GE3
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	12 A
qg - заряд затвора	19 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	11 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	8 V
vgs - напряжение затвор-исток	4.5 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	350 mV
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	50 S
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	65 ns
типичное время задержки при включении	12 ns