Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7384-70V-A	AP7383-44W5-7	SIA466EDJ-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 25 А, 0.0079 Ом, PowerPAK SC70, Surface Mou
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	130 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—	—
load regulation	0.5 V	—	—	—
mounting type	Through Hole	—	—	—
number of outputs	1	—	—	—
package type	TO-92	—	—	—
minimum operating temperature	-40 °C	—	—	—
width	3.8mm	—	—	—
pin count	3	—	—	—
maximum operating temperature	+125 °C	—	—	—
output type	Fixed	—	—	—
output voltage	5 V	—	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—	—
polarity	Positive	—	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—	—
maximum output current	50mA	—	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—
quiescent current	2.5µA	—	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—	—
вид монтажа	—	Through Hole	—	SMD/SMT
категория продукта	—	LDO регуляторы напряжения	—	МОП-транзистор
количество выходов	—	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	—	+ 125 C	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	40 C	—	55 C
подкатегория	—	PMIC - Power Management ICs	—	MOSFETs
продукт	—	LDO Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	—	2000	—	3000
тип продукта	—	LDO Voltage Regulators	—	MOSFET
торговая марка	—	Diodes Incorporated	—	Vishay Semiconductors
упаковка	—	Ammo Pack	—	—
упаковка / блок	—	TO-92-3	—	SC-70-6
выходной ток	—	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	—	0.5 %	—	—
тип выхода	—	Fixed	—	—
выходное напряжение	—	7 V	—	—
полярность	—	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	—	40 V	—	—
входное напряжение мин.	—	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	—	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	—	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	—	60 dB	—	—
вес, г	—	—	—	0.18
серия	—	—	—	SIA
длина	—	—	—	2.05 mm
коммерческое обозначение	—	—	—	TrenchFET
pd - рассеивание мощности	—	—	—	19.2 W
количество каналов	—	—	—	1 Channel
технология	—	—	—	Si
конфигурация	—	—	—	Single
id - непрерывный ток утечки	—	—	—	25 A
qg - заряд затвора	—	—	—	20 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	—	9.5 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	—	20 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	—	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	—	1 V
канальный режим	—	—	—	Enhancement
полярность транзистора	—	—	—	N-Channel