Сравнение

SiJA22DP-T1-GE3, N-Channel MOSFET, 201 A, 25 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L
Цена 150
Информация о производителе
Основные
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка / блок PowerPAK-SO-8L
время нарастания 6 ns
время спада 6 ns
коммерческое обозначение TrenchFET
pd - рассеивание мощности 48 W
количество каналов 1 Channel
Вес и габариты
технология Si
id - непрерывный ток утечки 201 A
qg - заряд затвора 83 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 740 uOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 25 V
vgs - напряжение затвор-исток 16 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.2 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 155 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора TrenchFET Power MOSFET
типичное время задержки выключения 39 ns
типичное время задержки при включении 15 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль