Сравнение

AS7805AT-E1 AP7384-33Y-13 IRF740BPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 400 В, 10 А, 0.5 Ом, TO-220AB, Through Hole
Цена 0 0 320
Информация о производителе
Основные
number of outputs 1 1
minimum operating temperature -40В°C -40 C -55 C
maximum operating temperature 125В°C +125 C +150 C
output type Fixed Fixed
factory pack quantity: factory pack quantity: 1000
input voltage, max: 25 V
input voltage, min: 7.5 V
load regulation: 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C
minimum operating temperature: -40 C
mounting style: Through Hole
number of outputs: 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators
series: AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs
packaging: Tube
output voltage 5V 3.3 V
output current 1A
Вес и габариты
output current: 1 A
output voltage: 5 V
output type: Fixed
output configuration Positive
input voltage max 25V
quiescent current 6mA 2.5uA
quiescent current: 6 mA
polarity: Positive
voltage dropout (max) 2V @ 1A(typ)
psrr / ripple rejection - typ 70dB(120Hz)
line regulation: 25 mV
psrr / ripple rejection - typ: 70 dB
package / case: TO-220-3
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Surface Mount
максимальная рабочая температура 125 C
минимальная рабочая температура -40 C
выходной ток 50мА
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
package type SOT-89
width 2.6mm
pin count 3+Tab
количество выводов 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
regulator type Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
вес, г 1
package / case TO-220AB-3
factory pack quantity 50
manufacturer Vishay
mounting style Through Hole
packaging Tube
product category MOSFET
product type MOSFET
series IRF
subcategory MOSFETs
configuration Single
fall time 14 ns
rise time 18 ns
number of channels 1 Channel
technology Si
pd - power dissipation 147 W
channel mode Enhancement
rds on - drain-source resistance 600 mOhms
transistor polarity N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage 400 V
vgs - gate-source voltage 10 V
id - continuous drain current 10 A
typical turn-on delay time 12 ns
typical turn-off delay time 18 ns
forward transconductance - min 2.7 S
qg - gate charge 15 nC
transistor type 1 N-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage 3 V
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль