Сравнение

	RFM04U6P(TE12L,F)	KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]
Цена	690 ₽	120 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
вес, г	0.05	1.95
package / case	PW-Mini-3	—
type	RF Power MOSFET	—
factory pack quantity	1000	—
manufacturer	Toshiba	—
mounting style	SMD/SMT	—
packaging	Cut Tape or Reel	—
product category	RF MOSFET Transistors	—
product type	RF MOSFET Transistors	—
series	RFM04	—
subcategory	MOSFETs	—
configuration	Single	—
Вес и габариты	—	—
output power	4.3 W	—
gain	13.3 dB	—
technology	Si	—
pd - power dissipation	7 W	—
operating frequency	470 MHz	—
transistor polarity	N-Channel	—
vds - drain-source breakdown voltage	16 V	—
vgs - gate-source voltage	3 V	—
id - continuous drain current	2 A	—
vgs th - gate-source threshold voltage	0.7 V	—
способ монтажа	—	в отверстие
рабочая температура,с	—	-55…+125
количество фаз	—	1
максимальное прямое напряжение,в	—	1.1
максимальное импульсное обратное напряжение,в	—	1200
максимальное постоянное обратное напряжение,в	—	1000
при iпр.,а	—	1
максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,а	—	2
максимальный обратный ток,мка	—	10
максимальный допустимый прямой импульсный ток,а	—	50