Сравнение

	IRFD113PBF, Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 4-Pin HVMDIP
Цена	190 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	2500
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay / Siliconix
упаковка	Bulk
упаковка / блок	HVMDIP-4
серия	IRFD
pd - рассеивание мощности	1 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	800 mA
qg - заряд затвора	7 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	800 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel