Сравнение

	$TK31N60W,S1VF Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор МОП-транзисторы серии DTMOSIV МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV используют современный одинарный эпитаксиальный процесс, который обеспечивает снижение R DS (on) на 30%, что является показателем качества ( FOM) для полевых МОП-транзисторов, по сравнению со своим предшественником, DTMOSIII. Это уменьшение R DS (on) позволяет размещать микросхемы с более низким R DS (on) в одних и тех же корпусах. Это помогает повысить эффективность и уменьшить размер источников питания. МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV идеально подходят для использования с импульсными регуляторами.$ TK31N60W,S1VF
Цена	2 530 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	6
вид монтажа:	Through Hole
категория продукта:	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:	+150 c
минимальная рабочая температура:	-55 C
подкатегория:	MOSFETs
производитель:	Toshiba
размер фабричной упаковки: размер фабричной упаковки:	30
серия:	TK31N60W
тип продукта:	MOSFET
торговая марка:	Toshiba
упаковка:	Tube
упаковка / блок:	TO-247-3
время нарастания:	32 ns
время спада:	8.5 ns
Вес и габариты	—
коммерческое обозначение:	DTMOSIV
pd - рассеивание мощности:	230 W
количество каналов:	1 Channel
технология:	Si
конфигурация:	Single
id - непрерывный ток утечки:	30.8 A
qg - заряд затвора:	86 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток:	73 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток:	600 V
vgs - напряжение затвор-исток:	-30 V, +30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :	3.7 V
канальный режим:	Enhancement
полярность транзистора:	N-Channel
тип транзистора:	1 N-Channel
типичное время задержки выключения:	165 ns
типичное время задержки при включении:	70 ns