Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AS7805AT-E1	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	STB55NF06LT4, N-Channel MOSFET, 55 A, 60 V, 3-Pin D2PAK STB55NF06LT4
Цена	0 ₽	0 ₽	260 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
number of outputs	1	1	—
minimum operating temperature	-40В°C	-40 °C	-55 °C
maximum operating temperature	125В°C	+125 °C	+175 °C
output type	Fixed	Fixed	—
factory pack quantity: factory pack quantity:	1000	—	—
input voltage, max:	25 V	—	—
input voltage, min:	7.5 V	—	—
load regulation:	20 mV	—	—
manufacturer:	Diodes Incorporated	—	—
maximum operating temperature:	+125 C	—	—
minimum operating temperature:	-40 C	—	—
mounting style:	Through Hole	—	—
number of outputs:	1 Output	—	—
product category:	Linear Voltage Regulators	—	—
product type:	Linear Voltage Regulators	—	—
series:	AS7805	—	—
subcategory:	PMIC-Power Management ICs	—	—
packaging:	Tube	—	—
output voltage	5V	5 V	—
output current	1A	—	—
Вес и габариты	—	—	—
output current:	1 A	—	—
output voltage:	5 V	—	—
output type:	Fixed	—	—
output configuration	Positive	—	—
input voltage max	25V	—	—
quiescent current	6mA	2.5µA	—
quiescent current:	6 mA	—	—
polarity:	Positive	—	—
voltage dropout (max)	2V @ 1A(typ)	—	—
psrr / ripple rejection - typ	70dB(120Hz)	—	—
line regulation:	25 mV	—	—
psrr / ripple rejection - typ:	70 dB	—	—
package / case:	TO-220-3	—	—
line regulation	—	0.05%/V	—
load regulation	—	0.5 V	—
mounting type	—	Through Hole	Поверхностный монтаж
package type	—	TO-92	—
width	—	3.8mm	10.4мм
pin count	—	3	3
minimum input voltage	—	3.3 V	—
polarity	—	Positive	—
maximum input voltage	—	40 V	—
maximum output current	—	50mA	—
regulator type	—	Low Dropout Voltage	—
тип корпуса	—	—	D2PAK (TO-263)
length	—	—	10.75мм
series	—	—	STripFET II
height	—	—	4.6мм
number of elements per chip	—	—	1
максимальное рассеяние мощности	—	—	95 Вт
channel type	—	—	N
transistor configuration	—	—	Одинарный
maximum drain source voltage	—	—	60 В
максимальное напряжение затвор-исток	—	—	-16 В, +16 В
maximum continuous drain current	—	—	55 А
maximum drain source resistance	—	—	20 мΩ
типичный заряд затвора при vgs	—	—	27 нКл при 4,5 В
channel mode	—	—	Поднятие
материал транзистора	—	—	Кремний
minimum gate threshold voltage	—	—	1V