Сравнение

	SI2304BDS-T1-E3, Transistor Polarity:N Channel
Цена	150 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	0.08
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay Semiconductors
упаковка / блок	SOT-23-3
серия	SI2
длина	2.9 mm
время нарастания	12.5 ns
время спада	15 ns
коммерческое обозначение	TrenchFET
pd - рассеивание мощности	750 mW
другие названия товара №	SI2304BDS-E3
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	2.6 A
qg - заряд затвора	2.6 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	70 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.5 V
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	6 S
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	19 ns
типичное время задержки при включении	7.5 ns
rds on - drain-source resistance	70mО© @ 2.5A,10V
transistor polarity	N Channel
vds - drain-source breakdown voltage	30V
vgs - gate-source voltage	3V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c	2.6A
power dissipation-max (ta=25в°c)	750mW