Сравнение

AS7805ADTR-G1 AP7384-70SA-7 SI1416EDH-T1-GE3, N-Channel MOSFET, 3.9 A, 30 V, 6-Pin SOT-363 SI1416EDH-T1-GE3
Цена 0 0 0 30
Информация о производителе
Основные
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500
input voltage, max: 25 V
input voltage, min: 7.5 V
load regulation: 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C
minimum operating temperature: -40 C
mounting style: SMD/SMT
number of outputs: 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators
series: AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
moisture sensitive: Yes
output current: 1 A
output voltage: 5 V
output type: Fixed
quiescent current: 6 mA
polarity: Positive
line regulation: 25 mV
package / case: TO-252-2
вид монтажа SMD/SMT SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 150 C
минимальная рабочая температура 40 C 55 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Voltage Regulators
размер фабричной упаковки 3000 3000
тип продукта LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated Vishay Semiconductors
упаковка / блок SOT-23-3 SOT-363-6
серия AP7384 SI1
выходной ток 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
тип выхода Fixed
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
время нарастания 30 ns
время спада 50 ns
коммерческое обозначение TrenchFET
pd - рассеивание мощности 2.8 W
другие названия товара № SI1410EDH-T1-E3-S SI1410EDH-T1-GE3 SI1426DH-T1-E3-
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 3.9 A
qg - заряд затвора 12 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 58 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
vgs - напряжение затвор-исток 12 V, + 12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 600 mV
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 13 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 15 ns
типичное время задержки при включении 1.5 ns
rds on - drain-source resistance 58mО© @ 3.1A,10V
transistor polarity N Channel
vds - drain-source breakdown voltage 30V
vgs - gate-source voltage 1.4V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c 3.9A(Tc)
power dissipation-max (ta=25в°c) 2.8W(Tc)
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль