Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70V-A	SI1416EDH-T1-GE3, N-Channel MOSFET, 3.9 A, 30 V, 6-Pin SOT-363 SI1416EDH-T1-GE3
Цена	0 ₽	30 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
вид монтажа	Through Hole	SMD/SMT
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	МОП-транзистор
количество выходов	1 Output	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C	55 C
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	MOSFETs
продукт	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	2000	3000
тип продукта	LDO Voltage Regulators	MOSFET
торговая марка	Diodes Incorporated	Vishay Semiconductors
упаковка	Ammo Pack	—
упаковка / блок	TO-92-3	SOT-363-6
выходной ток	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—
тип выхода	Fixed	—
выходное напряжение	7 V	—
полярность	Positive	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—
Вес и габариты	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—
серия	—	SI1
время нарастания	—	30 ns
время спада	—	50 ns
коммерческое обозначение	—	TrenchFET
pd - рассеивание мощности	—	2.8 W
другие названия товара №	—	SI1410EDH-T1-E3-S SI1410EDH-T1-GE3 SI1426DH-T1-E3-
количество каналов	—	1 Channel
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
id - непрерывный ток утечки	—	3.9 A
qg - заряд затвора	—	12 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	58 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	12 V, + 12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	600 mV
канальный режим	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	13 S
полярность транзистора	—	N-Channel
тип транзистора	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	15 ns
типичное время задержки при включении	—	1.5 ns
rds on - drain-source resistance	—	58mО© @ 3.1A,10V
transistor polarity	—	N Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	30V
vgs - gate-source voltage	—	1.4V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c	—	3.9A(Tc)
power dissipation-max (ta=25в°c)	—	2.8W(Tc)