Сравнение

	AP7383-44W5-7	SI1416EDH-T1-GE3, N-Channel MOSFET, 3.9 A, 30 V, 6-Pin SOT-363 SI1416EDH-T1-GE3
Цена	0 ₽	30 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
Вес и габариты	—	—
вид монтажа	—	SMD/SMT
категория продукта	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	55 C
подкатегория	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	3000
тип продукта	—	MOSFET
торговая марка	—	Vishay Semiconductors
упаковка / блок	—	SOT-363-6
серия	—	SI1
время нарастания	—	30 ns
время спада	—	50 ns
коммерческое обозначение	—	TrenchFET
pd - рассеивание мощности	—	2.8 W
другие названия товара №	—	SI1410EDH-T1-E3-S SI1410EDH-T1-GE3 SI1426DH-T1-E3-
количество каналов	—	1 Channel
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
id - непрерывный ток утечки	—	3.9 A
qg - заряд затвора	—	12 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	58 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	12 V, + 12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	600 mV
канальный режим	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	13 S
полярность транзистора	—	N-Channel
тип транзистора	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	15 ns
типичное время задержки при включении	—	1.5 ns
rds on - drain-source resistance	—	58mО© @ 3.1A,10V
transistor polarity	—	N Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	30V
vgs - gate-source voltage	—	1.4V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c	—	3.9A(Tc)
power dissipation-max (ta=25в°c)	—	2.8W(Tc)