Сравнение

Цена 0 33
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance 100mО© @ 8A,10V
transistor polarity N Channel
vds - drain-source breakdown voltage 100V
vgs - gate-source voltage 3V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c 14.7A
power dissipation-max (ta=25в°c) 37.4W(Tc)
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль