Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70SA-7	AP7384-70V-A	SSM3K15ACT,L3F
Цена	0 ₽	0 ₽	120 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
вид монтажа	SMD/SMT	Through Hole	SMD/SMT
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	LDO регуляторы напряжения	МОП-транзистор
количество выходов	1 Output	1 Output	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	+ 125 C	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C	40 C	—
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	PMIC - Power Management ICs	MOSFETs
продукт	LDO Voltage Regulators	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	3000	2000	10000
тип продукта	LDO Voltage Regulators	LDO Voltage Regulators	MOSFET
торговая марка	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Toshiba
упаковка / блок	SOT-23-3	TO-92-3	CST3-3
серия	AP7384	—	SSM3K15
выходной ток	50 mA	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	0.5 %	—
тип выхода	Fixed	Fixed	—
выходное напряжение	7 V	7 V	—
полярность	Positive	Positive	—
входное напряжение (макс.)	40 V	40 V	—
Вес и габариты	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	500 mV	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	60 dB	—
упаковка	—	Ammo Pack	Reel, Cut Tape
вес, г	—	—	0.0008
moisture sensitivity level (msl)	—	—	1 (Unlimited)
mounting type	—	—	Surface Mount
operating temperature	—	—	150В°C (TJ)
package	—	—	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	—	—	SC-101, SOT-883
rohs status	—	—	RoHS Compliant
eccn	—	—	EAR99
htsus	—	—	8541.21.0095
supplier device package	—	—	CST3
длина	—	—	1 mm
series	—	—	U-MOSIII ->
pd - рассеивание мощности	—	—	100 mW
количество каналов	—	—	1 Channel
base product number	—	—	TCR3DF ->
технология	—	—	Si
конфигурация	—	—	Single
technology	—	—	MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки	—	—	100 mA
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	3.6 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	4 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	800 mV
канальный режим	—	—	Enhancement
полярность транзистора	—	—	N-Channel
тип транзистора	—	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	35 ns
типичное время задержки при включении	—	—	5.5 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	—	100mA (Ta)
drain to source voltage (vdss)	—	—	30V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	—	2.5V, 4V
fet type	—	—	N-Channel
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	—	13.5pF @ 3V
power dissipation (max)	—	—	100mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs	—	—	3.6Ohm @ 10mA, 4V
vgs (max)	—	—	В±20V
vgs(th) (max) @ id	—	—	1.5V @ 100ВµA