Сравнение

STW56N60M2
Цена 2 710
Информация о производителе
Основные
вес, г 38
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 600
тип продукта MOSFET
торговая марка STMicroelectronics
упаковка Tube
упаковка / блок TO-247-3
серия STW56N60M2
время нарастания 26.5 ns
время спада 14 ns
коммерческое обозначение MDmesh
pd - рассеивание мощности 350 W
количество каналов 1 Channel
Вес и габариты
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 52 A
qg - заряд затвора 91 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 55 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
vgs - напряжение затвор-исток 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel Power MOSFET
типичное время задержки выключения 119 ns
типичное время задержки при включении 18 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль