Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70SA-7	AP7384-70V-A	STB9NK50ZT4
Цена	0 ₽	0 ₽	53 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
вид монтажа	SMD/SMT	Through Hole	—
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	LDO регуляторы напряжения	—
количество выходов	1 Output	1 Output	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	+ 125 C	—
минимальная рабочая температура	40 C	40 C	—
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	PMIC - Power Management ICs	—
продукт	LDO Voltage Regulators	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	3000	2000	—
тип продукта	LDO Voltage Regulators	LDO Voltage Regulators	—
торговая марка	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	—
упаковка / блок	SOT-23-3	TO-92-3	—
серия	AP7384	—	—
выходной ток	50 mA	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	0.5 %	—
тип выхода	Fixed	Fixed	—
выходное напряжение	7 V	7 V	—
полярность	Positive	Positive	—
входное напряжение (макс.)	40 V	40 V	—
Вес и габариты	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	500 mV	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	60 dB	—
упаковка	—	Ammo Pack	—
вес, г	—	—	2.06
package / case	—	—	TO-263-3
type	—	—	MOSFET
length	—	—	10.4 mm
minimum operating temperature	—	—	- 55 C
width	—	—	9.35 mm
factory pack quantity	—	—	1000
manufacturer	—	—	STMicroelectronics
maximum operating temperature	—	—	+ 150 C
mounting style	—	—	SMD/SMT
packaging	—	—	Cut Tape or Reel
product category	—	—	MOSFET
product type	—	—	MOSFET
series	—	—	STB9NK50Z
subcategory	—	—	MOSFETs
unit weight	—	—	0.139332 oz
configuration	—	—	Single
fall time	—	—	22 ns
rise time	—	—	20 ns
height	—	—	4.6 mm
number of channels	—	—	1 Channel
tradename	—	—	SuperMESH
technology	—	—	Si
pd - power dissipation	—	—	110 W
channel mode	—	—	Enhancement
rds on - drain-source resistance	—	—	850 mOhms
transistor polarity	—	—	N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	—	500 V
vgs - gate-source voltage	—	—	30 V
id - continuous drain current	—	—	7.2 A
typical turn-on delay time	—	—	17 ns
typical turn-off delay time	—	—	45 ns
forward transconductance - min	—	—	5.3 S
transistor type	—	—	1 N-Channel