Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7384-70SA-7	AP7383-44W5-7	STB9NK50ZT4
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	53 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—	—
load regulation	0.5 V	—	—	—
mounting type	Through Hole	—	—	—
number of outputs	1	—	—	—
package type	TO-92	—	—	—
minimum operating temperature	-40 °C	—	—	- 55 C
width	3.8mm	—	—	9.35 mm
pin count	3	—	—	—
maximum operating temperature	+125 °C	—	—	+ 150 C
output type	Fixed	—	—	—
output voltage	5 V	—	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—	—
polarity	Positive	—	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—	—
maximum output current	50mA	—	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—
quiescent current	2.5µA	—	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—	—
вид монтажа	—	SMD/SMT	—	—
категория продукта	—	LDO регуляторы напряжения	—	—
количество выходов	—	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	—	+ 125 C	—	—
минимальная рабочая температура	—	40 C	—	—
подкатегория	—	PMIC - Power Management ICs	—	—
продукт	—	LDO Voltage Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	—	3000	—	—
тип продукта	—	LDO Voltage Regulators	—	—
торговая марка	—	Diodes Incorporated	—	—
упаковка / блок	—	SOT-23-3	—	—
серия	—	AP7384	—	—
выходной ток	—	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	—	0.5 %	—	—
тип выхода	—	Fixed	—	—
выходное напряжение	—	7 V	—	—
полярность	—	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	—	40 V	—	—
входное напряжение мин.	—	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	—	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	—	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	—	60 dB	—	—
вес, г	—	—	—	2.06
package / case	—	—	—	TO-263-3
type	—	—	—	MOSFET
length	—	—	—	10.4 mm
factory pack quantity	—	—	—	1000
manufacturer	—	—	—	STMicroelectronics
mounting style	—	—	—	SMD/SMT
packaging	—	—	—	Cut Tape or Reel
product category	—	—	—	MOSFET
product type	—	—	—	MOSFET
series	—	—	—	STB9NK50Z
subcategory	—	—	—	MOSFETs
unit weight	—	—	—	0.139332 oz
configuration	—	—	—	Single
fall time	—	—	—	22 ns
rise time	—	—	—	20 ns
height	—	—	—	4.6 mm
number of channels	—	—	—	1 Channel
tradename	—	—	—	SuperMESH
technology	—	—	—	Si
pd - power dissipation	—	—	—	110 W
channel mode	—	—	—	Enhancement
rds on - drain-source resistance	—	—	—	850 mOhms
transistor polarity	—	—	—	N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage	—	—	—	500 V
vgs - gate-source voltage	—	—	—	30 V
id - continuous drain current	—	—	—	7.2 A
typical turn-on delay time	—	—	—	17 ns
typical turn-off delay time	—	—	—	45 ns
forward transconductance - min	—	—	—	5.3 S
transistor type	—	—	—	1 N-Channel