Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	CSD87333Q3D
Цена	440 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
package / case	VSON-8
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	2500
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Texas Instruments
упаковка / блок	VSON-8
серия	CSD87333Q3D
длина	3.3 mm
время нарастания	3.9 ns
время спада	2.2 ns
коммерческое обозначение	NexFET
minimum operating temperature	-55 C
factory pack quantity	2500
manufacturer	Texas Instruments
maximum operating temperature	+150 C
mounting style	SMD/SMT
packaging	Cut Tape or Reel
product category	MOSFET
product type	MOSFET
series	CSD87333Q3D
subcategory	MOSFETs
pd - рассеивание мощности	1.5 W
количество каналов	2 Channel
configuration	Dual
fall time	2.2 ns
rise time	3.9 ns
number of channels	2 Channel
Вес и габариты	—
tradename	NexFET
технология	Si
конфигурация	Dual
technology	Si
pd - power dissipation	1.5 W
id - непрерывный ток утечки	15 A
qg - заряд затвора	3.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	14.3 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.2 V
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	43 S
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	2 N-Channel
типичное время задержки выключения	9.4 ns
типичное время задержки при включении	2.1 ns
channel mode	Enhancement
rds on - drain-source resistance	14.3 mOhms
transistor polarity	N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage	30 V
vgs - gate-source voltage	8 V
id - continuous drain current	15 A
typical turn-on delay time	2.1 ns
typical turn-off delay time	9.4 ns
forward transconductance - min	43 S
qg - gate charge	3.5 nC
transistor type	2 N-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage	1.2 V