Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-33Y-13	AP7384-70SA-7	AP7384-70V-A	AP7383-44W5-7	IRFD9210PBF, Trans MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-Pin HVMDIP
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	0 ₽	59 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—	—	—
load regulation	0.5 V	—	—	—	—
mounting type	Surface Mount	—	—	—	Through Hole
number of outputs	1	—	—	—	—
максимальная рабочая температура	125 C	+ 125 C	+ 125 C	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	-40 C	40 C	40 C	—	55 C
выходной ток	50мА	50 mA	50 mA	—	—
линейка продукции	3.3V 50mA LDO Voltage Regulators	—	—	—	—
package type	SOT-89	—	—	—	—
minimum operating temperature	-40 C	—	—	—	—
width	2.6mm	—	—	—	—
pin count	3+Tab	—	—	—	—
maximum operating temperature	+125 C	—	—	—	—
количество выводов	3вывод(-ов)	—	—	—	—
максимальное входное напряжение	40В	—	—	—	—
тип выхода	фиксированный	Fixed	Fixed	—	—
output type	Fixed	—	—	—	—
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов	—	—	—	—
output voltage	3.3 V	—	—	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—	—	—
polarity	Positive	—	—	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—	—	—
maximum output current	50mA	—	—	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—	—
падение напряжения vdo	500мВ	—	—	—	—
стиль корпуса стабилизатора (ldo)	SOT-89	—	—	—	—
quiescent current	2.5uA	—	—	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—	—	—
номинальное значение фиксированного выходного напряжения	—	—	—	—	—
вид монтажа	—	SMD/SMT	Through Hole	—	Through Hole
категория продукта	—	LDO регуляторы напряжения	LDO регуляторы напряжения	—	МОП-транзистор
количество выходов	—	1 Output	1 Output	—	—
подкатегория	—	PMIC - Power Management ICs	PMIC - Power Management ICs	—	MOSFETs
продукт	—	LDO Voltage Regulators	LDO Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	—	3000	2000	—	2500
тип продукта	—	LDO Voltage Regulators	LDO Voltage Regulators	—	MOSFET
торговая марка	—	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	—	Vishay / Siliconix
упаковка / блок	—	SOT-23-3	TO-92-3	—	HVMDIP-4
серия	—	AP7384	—	—	IRFD
нестабильность выходной нагрузки	—	0.5 %	0.5 %	—	—
выходное напряжение	—	7 V	7 V	—	—
полярность	—	Positive	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	—	40 V	40 V	—	—
входное напряжение мин.	—	3.3 V	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	—	0.05 %/V	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	—	500 mV	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	—	60 dB	60 dB	—	—
упаковка	—	—	Ammo Pack	—	Tube
moisture sensitivity level (msl)	—	—	—	—	1 (Unlimited)
operating temperature	—	—	—	—	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	—	—	—	—	Tube
package / case	—	—	—	—	4-DIP (0.300"", 7.62mm)
rohs status	—	—	—	—	ROHS3 Compliant
eccn	—	—	—	—	EAR99
htsus	—	—	—	—	8541.29.0095
supplier device package	—	—	—	—	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
длина	—	—	—	—	6.29 mm
pd - рассеивание мощности	—	—	—	—	1 W
количество каналов	—	—	—	—	1 Channel
base product number	—	—	—	—	IRFD9210 ->
технология	—	—	—	—	Si
конфигурация	—	—	—	—	Single
technology	—	—	—	—	MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки	—	—	—	—	400 mA
qg - заряд затвора	—	—	—	—	8.9 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	—	—	3 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	—	—	200 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	—	—	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	—	—	4 V
канальный режим	—	—	—	—	Enhancement
полярность транзистора	—	—	—	—	P-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	—	—	—	400mA (Ta)
drain to source voltage (vdss)	—	—	—	—	200V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	—	—	—	10V
fet type	—	—	—	—	P-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	—	—	—	8.9nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	—	—	—	170pF @ 25V
power dissipation (max)	—	—	—	—	1W (Ta)
rds on (max) @ id, vgs	—	—	—	—	3Ohm @ 240mA, 10V
vgs (max)	—	—	—	—	В±20V
vgs(th) (max) @ id	—	—	—	—	4V @ 250ВµA