Сравнение

	AP7383-44W5-7	IGW25N120H3, IGBT 1200V 50A 2.05V TO247-3
Цена	0 ₽	900 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
Вес и габариты	—	—
вид монтажа	—	Through Hole
категория продукта	—	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	—	+ 175 C
минимальная рабочая температура	—	40 C
подкатегория	—	IGBTs
размер фабричной упаковки	—	240
тип продукта	—	IGBT Transistors
торговая марка	—	Infineon Technologies
упаковка	—	Tube
упаковка / блок	—	TO-247-3
серия	—	HighSpeed 3
коммерческое обозначение	—	TRENCHSTOP
pd - рассеивание мощности	—	326 W
другие названия товара №	—	IGW25N12H3XK SP000674424 IGW25N120H3FKSA1
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	—	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	—	1200 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	—	2.05 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c	—	50 A
ток утечки затвор-эмиттер	—	600 nA