Сравнение

AP7384-70V-A MR25H256CDF, микросхема памяти
Цена 0 1 320
Информация о производителе
Основные
вид монтажа Through Hole
категория продукта LDO регуляторы напряжения Магниторезистивная оперативная память (MRAM)
количество выходов 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 85 C
минимальная рабочая температура 40 C 40 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs Memory Data Storage
продукт LDO Regulators
размер фабричной упаковки 2000 570
тип продукта LDO Voltage Regulators MRAM
торговая марка Diodes Incorporated Everspin Technologies
упаковка Ammo Pack Tray
упаковка / блок TO-92-3 DFN-8
выходной ток 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
тип выхода Fixed
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
Вес и габариты
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
moisture sensitivity level (msl) 3 (168 Hours)
mounting type Surface Mount
operating temperature -40В°C ~ 85В°C (TA)
package Tray
package / case 8-VDFN Exposed Pad
rohs status ROHS3 Compliant
чувствительный к влажности Yes
eccn EAR99
htsus 8542.32.0071
серия MR25H256
рабочий ток источника питания 20 mA
reach status REACH Unaffected
supplier device package 8-DFN (5x6)
pd - рассеивание мощности 0.6 W
напряжение питания - макс. 3.6 V
напряжение питания - мин. 2.7 V
тип интерфейса SPI
voltage - supply 2.7V ~ 3.6V
technology MRAM (Magnetoresistive RAM)
организация 32 k x 8
ширина шины данных 8 bit
размер памяти 256 kbit
memory size 256Kb (32K x 8)
memory type Non-Volatile
memory format RAM
clock frequency 40MHz
memory interface SPI
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль